GT50JR22(STA1,E,S)
-
Производитель:
TOSHIBA -
Описание:
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Мин.заказ 1 шт, кратно 1Характеристики
| Монтаж: | THT |
| Корпус: | TO3PN |
| Рассеиваемая мощность: | 115Вт |
| Тип транзистора: | IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер: | 600В |
| Ток коллектора: | 44А |
| Ток коллектора в импульсе: | 100А |
| Время включения: | 250нс |
| Время выключения: | 330нс |
| Напряжение затвор - эмиттер: | ±25В |
Техническая документация
Другие категории
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК