Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Всего товаров: 66
ULN2803CDWR
- uln2803cdwr
- TEXAS INSTRUMENTS
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BC856BS_R1_00001
- bc856bs.r1.00001
- Panjit International Inc.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MPQ2222A PBFREE
- mpq2222a.pbfree
- Central Semiconductor
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ULN2803AN-P
- uln2803an.p
- Texas Instruments
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BC847BS-QX
- bc847bs.qx
- Nexperia USA Inc.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BC847AS-AU_R1_000A1
- bc847as.au.r1.000a1
- Panjit International Inc.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SNST3904DXV6T1G
- snst3904dxv6t1g
- onsemi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMBT3904RAZ
- pmbt3904raz
- Nexperia USA Inc.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BC807DSF
- bc807dsf
- Nexperia USA Inc.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BC847BPN-QX
- bc847bpn.qx
- Nexperia USA Inc.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BC847AS_R1_00001
- bc847as.r1.00001
- Panjit International Inc.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STA315A
- sta315a
- Sanken, SANKEN [Sanken electric]
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
BC847BPN-QF
- bc847bpn.qf
- Nexperia USA Inc.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SN75468NG4
- sn75468ng4
- Texas Instruments
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PMP5501QASZ
- pmp5501qasz
- Nexperia USA Inc.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
ABC846BPN-HF
- abc846bpn.hf
- Comchip Technology
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NSV60101DMR6T2G
- nsv60101dmr6t2g
- onsemi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Массивы биполярных транзисторов (BJT) представляют собой интегрированные схемы, содержащие несколько биполярных транзисторов в одном корпусе. Эти массивы могут включать как транзисторы одного типа (все NPN или PNP), так и комбинации NPN и PNP. Они предназначены для упрощения схемотехники, экономии пространства на плате и улучшения производительности за счёт согласованности характеристик транзисторов внутри массива.
Ключевые характеристики массивов биполярных транзисторов включают:
- коллектор-эмиттерное напряжение (Vceo). Максимальное напряжение, которое транзисторы могут выдержать между коллектором и эмиттером;
- ток коллектора (Ic). Максимальный ток, который могут пропустить транзисторы;
- коэффициент усиления по току (hFE или β). Отношение тока коллектора к току базы для транзисторов в массиве;
- напряжение насыщения (Vce(sat)). Напряжение между коллектором и эмиттером при полной насыщенности транзистора и максимальном токе коллектора.
Применение массивов биполярных транзисторов
Массивы BJT (биполярных переходных транзисторов) являются важными компонентами в мире электроники, предоставляя гибкие решения для управления и обработки сигналов в различных приложениях. В цифровой логике эти массивы используются как переключатели или буферы, обеспечивая необходимую функциональность для управления логическими операциями и обработки данных в цифровых схемах.
В области управления нагрузкой BJT применяются для управления различными типами нагрузок, такими как светодиоды, маломощные моторы или другие устройства, позволяя контролировать их работу с высокой точностью и эффективностью. В аналоговых схемах массивы BJT находят применение в усилителях и генераторах сигналов, где они используются для усиления или генерации аналоговых сигналов, обеспечивая при этом высокую точность и стабильность процессов.
В интерфейсных схемах эти транзисторы играют ключевую роль в согласовании уровней напряжения между различными частями электронной системы, обеспечивая надежную и эффективную передачу сигналов между компонентами с различными электрическими характеристиками.
Интеграция и использование
При интеграции массивов BJT в электронные устройства важно учитывать их электрические характеристики и совместимость с другими компонентами схемы. Необходимо обеспечить адекватный теплоотвод, так как транзисторы в массиве могут генерировать значительное количество тепла при проведении тока.
Также важно учитывать логику управления транзисторами в массиве и обеспечить соответствующее смещение для каждого транзистора, чтобы достичь желаемого режима работы.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 18:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 18:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 18:00 МСК