Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку

Транзисторы - IGBT - одиночные

Всего товаров: 64

RGT50TS65DGC13

  • rgt50ts65dgc13
  • Rohm Semiconductor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RGTH60TS65GC13

  • rgth60ts65gc13
  • Rohm Semiconductor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RGTH60TS65DGC13

  • rgth60ts65dgc13
  • Rohm Semiconductor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RGW00TS65HRC11

  • rgw00ts65hrc11
  • ROHM Semiconductor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RGW00TS65EHRC11

  • rgw00ts65ehrc11
  • Rohm Semiconductor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IKN06N60RC2ATMA1

  • ikn06n60rc2atma1
  • Infineon Technologies

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IKN03N60RC2ATMA1

  • ikn03n60rc2atma1
  • Infineon Technologies

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IKN04N60RC2ATMA1

  • ikn04n60rc2atma1
  • Infineon Technologies

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FGH40T65SQD_F155

  • fgh40t65sqd.f155
  • onsemi

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

LGB8206ATI

  • lgb8206ati
  • Littelfuse Inc.

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

GT20N135SRA,S1E

  • gt20n135sra.s1e
  • Toshiba Semiconductor and Storage

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RGT60TS65DGC13

  • rgt60ts65dgc13
  • Rohm Semiconductor

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXYX110N120C4

  • ixyx110n120c4
  • IXYS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXYK110N120B4

  • ixyk110n120b4
  • IXYS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXYH55N120C4

  • ixyh55n120c4
  • IXYS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXYX110N120B4

  • ixyx110n120b4
  • IXYS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXYK110N120C4

  • ixyk110n120c4
  • IXYS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

IXYA20N120C3HV-TRL

  • ixya20n120c3hv.trl
  • IXYS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

GT40QR21(STA1,E,D

  • gt40qr21.sta1.e.d
  • TOSHIBA

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

STGP30H65DFB2

  • stgp30h65dfb2
  • STMicroelectronics

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Одиночные транзисторы IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) сочетают в себе высокоэффективные характеристики полевых транзисторов (MOSFET) и высокую перегрузочную способность биполярных транзисторов. Это делает их идеальными для применения в областях, где требуется управление большими токами и/или высокими напряжениями.

Ключевые характеристики одиночных IGBT транзисторов включают:

  • максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce). Максимальное напряжение, которое транзистор может выдержать между коллектором и эмиттером;
  • максимальный ток коллектора (Ic). Максимальный ток, который может протекать через коллектор транзистора;
  • напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)): Минимальное напряжение между коллектором и эмиттером при полном открытии транзистора;
  • время выключения (tf): Время, необходимое транзистору для перехода из проводящего состояния в непроводящее.

Применение одиночных IGBT транзисторов

Одиночные IGBT транзисторы широко используются в различных приложениях:

  • преобразователи мощности. В инверторах, преобразующих постоянный ток в переменный, и в преобразователях частоты для управления скоростью двигателей;
  • системы электропитания. В источниках бесперебойного питания (ИБП) и в высоковольтных источниках питания;
  • электротранспорт. В системах управления двигателями электрических и гибридных автомобилей;
  • индукционное нагревание и сварка. Для управления процессами, требующими высокой мощности и быстрого переключения.

Интеграция и использование

При интеграции одиночных IGBT транзисторов в электронные схемы важно учитывать их характеристики, чтобы обеспечить эффективное и надежное управление мощностью. Необходимо обеспечить адекватный теплоотвод, так как при управлении большими токами транзисторы могут генерировать значительное количество тепла.

Также важно учитывать характеристики управления затвором и подходящее драйверное устройство для IGBT, чтобы обеспечить правильное открытие и закрытие транзистора. Использование одиночных IGBT транзисторов позволяет разработчикам создавать высокоэффективные системы управления мощностью для широкого спектра промышленных и потребительских приложений, оптимизируя производительность и энергоэффективность устройств.

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь