Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Всего товаров: 379
GE17080CDA3
- ge17080cda3
- GE Aerospace
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMTH10H017LPDQ-13
- dmth10h017lpdq.13
- Diodes Incorporated
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NXH010P120MNF1PG
- nxh010p120mnf1pg
- onsemi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
NTMFC013NP10M5L
- ntmfc013np10m5l
- onsemi
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FF45MR12W1M1PB11BPSA1
- ff45mr12w1m1pb11bpsa1
- Infineon Technologies
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GE17042BCA3
- ge17042bca3
- GE Aerospace
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMN3055LFDB-13
- dmn3055lfdb.13
- Diodes Incorporated
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMC3061SVTQ-13
- dmc3061svtq.13
- Diodes Incorporated
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
GE17045EEA3
- ge17045eea3
- GE Aerospace
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MSCSM170HM12CAG
- mscsm170hm12cag
- Microchip Technology
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMTH6016LPD-13
- dmth6016lpd.13
- Diodes Incorporated
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMT47M2LDV-7
- dmt47m2ldv.7
- DIODES INC.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
FF4MR12KM1H
- ff4mr12km1h
- Infineon Technologies
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMT6018LDR-13
- dmt6018ldr.13
- Diodes Incorporated
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N7002KDW
- 2n7002kdw
- HY Electronic (Cayman) Limited, PANJIT [Pan Jit International Inc.]
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJS6830_S1_00001
- pjs6830.s1.00001
- Panjit International Inc.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMC3730UVT-13
- dmc3730uvt.13
- Diodes Incorporated
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PJT138L_R1_00001
- pjt138l.r1.00001
- Panjit International Inc.
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
DMNH4026SSDQ-13
- dmnh4026ssdq.13
- Diodes Incorporated
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2N7002KDW-TP
- 2n7002kdw.tp
- Micro Commercial Co
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Массивы полевых транзисторов (FETs) и металл-оксидных полевых транзисторов (MOSFETs) представляют собой интегрированные схемы, содержащие несколько FET или MOSFET транзисторов в одном корпусе. Эти массивы обеспечивают улучшенное управление мощностью и сигналом в различных приложениях, позволяя одновременное управление несколькими каналами.
Ключевые характеристики массивов FETs и MOSFETs включают:
- максимальное напряжение сток-исток (Vds). Максимальное напряжение, которое может быть приложено между стоком и истоком транзисторов;
- максимальный ток стока (Id). Максимальный ток, который может протекать через сток каждого транзистора в массиве;
- пороговое напряжение (Vgs(th)). Напряжение на затворе, при котором транзистор начинает проводить;
- сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)). Сопротивление между стоком и истоком при полностью открытом транзисторе.
Применение массивов FETs и MOSFETs
Массивы FET (полевых транзисторов) и MOSFET (металл-оксид-полупроводниковых полевых транзисторов) обеспечивают эффективное управление и переключение в разнообразных электронных системах. В области управления мощностью эти компоненты используются для контроля мощных нагрузок, что важно в системах питания и управления освещением, где они позволяют регулировать и распределять мощность эффективно и надежно.
В цифровой логике массивы FETs и MOSFETs служат переключателями, обеспечивая основу для работы логических схем и интерфейсов, позволяя строить сложные логические структуры и обеспечивая высокую скорость и надежность работы цифровых устройств. Для управления моторами и реле эти транзисторы предоставляют возможность управления несколькими устройствами одновременно, что критически важно в различных устройствах и промышленных системах, где требуется точное и надежное управление механическими компонентами.
Интеграция и использование
При интеграции массивов FETs и MOSFETs в электронные устройства важно учитывать их рабочие характеристики и требования к управлению. Необходимо обеспечить соответствующее управляющее напряжение и ток для надежного включения и выключения транзисторов в массиве. Также следует учитывать тепловое управление, особенно в приложениях с высокой мощностью, для предотвращения перегрева и повышения надежности и долговечности устройства.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные(11220)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 18:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 18:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 18:00 МСК