Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Картинка товара по умолчанию

RJK1001DPN-E0#T2

78
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 78 шт, кратно 1

Характеристики

Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 40A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10 pF @ 10 V
Рассеивание мощности (Макс) 200W (Tc)
Рабочая температура 150°C (TJ)
Вид монтажа Through Hole
Исполнение корпуса TO-220AB
Корпус TO-220-3
Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь