Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Изображения для RN1101MFV,L3F(CT

RN1101MFV,L3F(CT

  • Производитель:

    Toshiba Semiconductor and Storage
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Digi-Reel®
Тип транзистора NPN - Pre-Biased
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 100 mA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 50 V
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms
Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Обратный ток коллектора (Max) 500nA
Рассеивание мощности 150 mW
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-723
Исполнение корпуса VESM
Base Product Number RN1101
Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь