Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Изображения для FF6MR12KM1PHOSA1

FF6MR12KM1PHOSA1

  • Производитель:

    INFINEON
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Tray
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.81mOhm @ 250A, 15V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 5.15V @ 80mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 496nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14700pF @ 800V
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Исполнение корпуса AG-62MM
Base Product Number FF6MR12
Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь