Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Изображения для MSCSM120TAM11CTPAG

MSCSM120TAM11CTPAG

  • Производитель:

    Microchip Technology
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Tube
Тип полевого транзистора 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Особенности полевого транзистора Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 251A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.4mOhm @ 120A, 20V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 696nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9060pF @ 1000V
Рассеивание мощности 1.042kW (Tc)
Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Исполнение корпуса SP6-P
Base Product Number MSCSM120
Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь