Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Изображения для GE17045EEA3

GE17045EEA3

  • Производитель:

    GE Aerospace
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Bulk
Тип полевого транзистора 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Особенности полевого транзистора Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.45mOhm @ 425A, 20V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 160mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1207nC @ 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 29100pF @ 900V
Рассеивание мощности 1250W (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (Tc)
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module

Техническая документация

Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь