Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Картинка товара по умолчанию

FF45MR12W1M1PB11BPSA1

  • Производитель:

    Infineon Technologies
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Tray
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 25A, 15V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 5.55V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1840pF @ 800V
Рассеивание мощности 20mW (Tc)
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Исполнение корпуса AG-EASY1BM
Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь