Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Картинка товара по умолчанию

NXH010P120MNF1PG

  • Производитель:

    onsemi
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Tray
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual) Common Source
Особенности полевого транзистора Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 100A, 20V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 40mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 454nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4707pF @ 800V
Рассеивание мощности 250W (Tj)
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module

Техническая документация

Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь