Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Изображения для GE17080CDA3

GE17080CDA3

  • Производитель:

    GE Aerospace
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Bulk
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 765A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.23mOhm @ 765A, 20V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 160mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2414nC @ 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 58000pF @ 900V
Рассеивание мощности 2350W
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (Tc)
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module

Техническая документация

Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь