Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Изображения для NTH4L040N120SC1

NTH4L040N120SC1

  • Производитель:

    onsemi
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Tube
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 35A, 20V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 106 nC @ 20 V
Vgs (Max) +25V, -15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1762 pF @ 800 V
Рассеивание мощности (Макс) 319W (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа Through Hole
Исполнение корпуса TO-247-4L
Корпус TO-247-4
Base Product Number NTH4L040

Техническая документация

Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь