Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Изображения для NTH4L022N120M3S

NTH4L022N120M3S

  • Производитель:

    onsemi
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Tube
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 68A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 40A, 18V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4.4V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 151 nC @ 18 V
Vgs (Max) +22V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3175 pF @ 800 V
Рассеивание мощности (Макс) 352W (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа Through Hole
Исполнение корпуса TO-247-4L
Корпус TO-247-4

Техническая документация

Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь