Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Изображения для TP65H015G5WS

TP65H015G5WS

  • Производитель:

    Transphorm
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Tube
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 93A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 60A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4.8V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5218 pF @ 400 V
Рассеивание мощности (Макс) 266W (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа Through Hole
Исполнение корпуса TO-247-3
Корпус TO-247-3

Техническая документация

Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь