Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Картинка товара по умолчанию

IMW65R083M1HXKSA1

  • Производитель:

    Infineon Technologies
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Tube
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 111mOhm @ 11.2A, 18V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 5.7V @ 3.3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 18 V
Vgs (Max) +20V, -2V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 624 pF @ 400 V
Рассеивание мощности (Макс) 104W (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа Through Hole
Исполнение корпуса PG-TO247-3-41
Корпус TO-247-3
Base Product Number IMW65R
Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь