Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Изображения для UJ4C075023K3S

UJ4C075023K3S

  • Производитель:

    Qorvo
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Tube
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 750 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 66A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 40A, 12V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 6V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37.8 nC @ 15 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 400 V
Рассеивание мощности (Макс) 306W (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C
Вид монтажа Through Hole
Исполнение корпуса TO-247-3
Корпус TO-247-3
Base Product Number UJ4C075

Техническая документация

Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь