Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Изображения для GPI65060DFN

GPI65060DFN

  • Производитель:

    GaNPower
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Tape & Reel (TR)
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 3.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 6 V
Vgs (Max) +7.5V, -12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 400 V
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа Surface Mount
Исполнение корпуса Die
Корпус Die
Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь