Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Изображения для GP2T080A120U

GP2T080A120U

  • Производитель:

    SemiQ
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Tube
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 20V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 20 V
Vgs (Max) +25V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1377 pF @ 1000 V
Рассеивание мощности (Макс) 188W (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа Through Hole
Исполнение корпуса TO-247-3
Корпус TO-247-3

Техническая документация

Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь