Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Картинка товара по умолчанию

IGLD60R190D1SAUMA1

  • Производитель:

    Infineon Technologies
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Tape & Reel (TR)
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.6V @ 960µA
Vgs (Max) -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 157 pF @ 400 V
Рассеивание мощности (Макс) 62.5W (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа Surface Mount
Исполнение корпуса PG-LSON-8-1
Корпус 8-LDFN Exposed Pad
Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь