Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Изображения для P1H06300D8

P1H06300D8

  • Производитель:

    PN Junction Semiconductor
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Tape & Reel (TR)
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3V @ 1mA
Vgs (Max) +10V, -20V
Рассеивание мощности (Макс) 55.5W
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа Surface Mount
Исполнение корпуса DFN8*8
Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь