Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Картинка товара по умолчанию

P3M12025K4

  • Производитель:

    PN Junction Semiconductor
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Tube
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 112A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 50A, 15V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 50mA (Typ)
Vgs (Max) +19V, -8V
Рассеивание мощности (Макс) 577W
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа Through Hole
Исполнение корпуса TO-247-4L
Корпус TO-247-4
Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь