Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Изображения для IPP05CN10NGXKSA1

IPP05CN10NGXKSA1

  • Производитель:

    Infineon Technologies
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Tube
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 100A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 181 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12000 pF @ 50 V
Рассеивание мощности (Макс) 300W (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа Through Hole
Исполнение корпуса PG-TO220-3
Корпус TO-220-3
Base Product Number IPP05CN10

Техническая документация

Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь