Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Изображения для G50N03J

G50N03J

  • Производитель:

    Goford Semiconductor
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Tube
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 65A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.6 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1255 pF @ 15 V
Рассеивание мощности (Макс) 48W (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа Through Hole
Исполнение корпуса TO-251
Корпус TO-251-3 Stub Leads, IPak
Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь