Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Изображения для IV1Q12050T4

IV1Q12050T4

  • Производитель:

    Inventchip
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Tube
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 20A, 20V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3.2V @ 6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 20 V
Vgs (Max) +20V, -5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2750 pF @ 800 V
Рассеивание мощности (Макс) 344W (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа Through Hole
Исполнение корпуса TO-247-4
Корпус TO-247-4
Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь