Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Изображения для SCT2080KEGC11

SCT2080KEGC11

  • Производитель:

    Rohm Semiconductor
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Tube
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117mOhm @ 10A, 18V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 4.4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 106 nC @ 18 V
Vgs (Max) +22V, -6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2080 pF @ 800 V
Рассеивание мощности (Макс) 262W (Tc)
Рабочая температура 175°C (TJ)
Вид монтажа Through Hole
Исполнение корпуса TO-247N
Корпус TO-247-3
Base Product Number SCT2080
Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь