Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Изображения для SIHA21N65EF-GE3

SIHA21N65EF-GE3

  • Производитель:

    Vishay Siliconix
  • Описание:

    N-Channel 650 V 21A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Cut Tape (CT)
Тип полевого транзистора: N-Channel
Технология: MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V
Рассеивание мощности (Макс): 35W (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа: Through Hole
Исполнение корпуса: TO-220 Full Pack
Корпус: TO-220-3 Full Pack

Техническая документация

Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь