Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Изображения для FCP165N65S3R0

FCP165N65S3R0

  • Производитель:

    onsemi

  • Описание:

    N-Channel 650 V 19A (Tc) 154W (Tc) Through Hole TO-220-3
143
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 143 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Tube
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 9.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 1.9mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 400 V
Рассеивание мощности (Макс) 154W (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа Through Hole
Исполнение корпуса TO-220-3
Корпус TO-220-3
Base Product Number FCP165

Техническая документация

Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь