Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Изображения для G3R12MT12K

G3R12MT12K

  • Производитель:

    GeneSiC Semiconductor

  • Описание:

    N-Channel 1200 V 157A (Tc) 567W (Tc) Through Hole TO-247-4
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Tube
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 157A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 100A, 18V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.7V @ 50mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 288 nC @ 15 V
Vgs (Max) +22V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9335 pF @ 800 V
Рассеивание мощности (Макс) 567W (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа Through Hole
Исполнение корпуса TO-247-4
Корпус TO-247-4
Base Product Number G3R12M

Техническая документация

Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь