Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Изображения для SIHG11N80E-GE3

SIHG11N80E-GE3

  • Производитель:

    Vishay / Siliconix

  • Описание:

    N-Channel 800 V 12A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Серия: E
Package: Tube
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440mOhm @ 5.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1670 pF @ 100 V
Рассеивание мощности (Макс) 179W (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа Through Hole
Исполнение корпуса TO-247AC
Корпус TO-247-3
Base Product Number SIHG11

Техническая документация

Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь