Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Картинка товара по умолчанию

BUK9E1R8-40E,127

  • Производитель:

    NXP USA Inc., NXP Semiconductors
  • Описание:

    N-Channel 40 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Tube
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 16400 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс) 349W (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа Through Hole
Исполнение корпуса I2PAK
Корпус TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Base Product Number BUK9E1R8

Техническая документация

Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь