Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Изображения для IPD30N06S2L13ATMA1

IPD30N06S2L13ATMA1

  • Производитель:

    Infineon Technologies
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Bulk
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 30A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 80µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс) 136W (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа Surface Mount
Исполнение корпуса PG-TO252-3-11
Корпус TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь