Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
Картинка товара по умолчанию

TP65H150G4LSG

  • Производитель:

    Transphorm
1
Уже в корзине

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Мин.заказ 1 шт, кратно 1

Характеристики

Package: Tray
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 8.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4.8V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 598 pF @ 400 V
Рассеивание мощности (Макс) 52W (Tc)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа Surface Mount
Исполнение корпуса 2-PQFN (8x8)
Корпус 2-PowerTSFN
Base Product Number TP65H150
Иконка Работаем с юрлицами и ИП
Работаем с юрлицами и ИП

Возможны как небольшие заказы, так и крупные поставки на индивидуальных условиях

Иконка Просто оплатить
Просто оплатить

Оплата по выставленному счету юридическому лицу. Лучшие цены от поставщиков без лишних наценок

Иконка Отправляем во все города РФ
Отправляем во все города РФ

Курьерская служба доставит заказ до двери склада, магазина или офиса в удобное вам время

Другие категории


Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь