Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Всего товаров: 2917

DDTB142TU-7-F

  • ddtb142tu.7.f
  • Diodes Inc
  • TRANS PREB PNP 200MW R1/2 SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 470 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA · Ток коллектора

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDTB142JC-7-F

  • ddtb142jc.7.f
  • Diodes Inc
  • TRANS PREBIASED PNP SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 470 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 30

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDTB142JC-7

  • ddtb142jc.7
  • Diodes Inc
  • TRANS PREBIASED PNP SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 470 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 30

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDTB142JU-7

  • ddtb142ju.7
  • Diodes Inc
  • TRANS PREBIASED PNP SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 470 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDTB142JU-7-F

  • ddtb142ju.7.f
  • Diodes Inc
  • TRANS PREBIASED PNP SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 470 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDTB133HU-7-F

  • ddtb133hu.7.f
  • Diodes Inc
  • TRANS PREB PNP 200MW R1/2 SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 3.3K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDTB123YU-7-F

  • ddtb123yu.7.f
  • Diodes Inc
  • TRANS PREB PNP 200MW R1/2 SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDTB133HC-7-F

  • ddtb133hc.7.f
  • Diodes Inc
  • TRANS PNP 200MW R1/2 SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 3.3K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDTB123YC-7-F

  • ddtb123yc.7.f
  • Diodes Inc
  • TRANS PNP 200MW R1/2 SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDTB123TU-7-F

  • ddtb123tu.7.f
  • Diodes Inc
  • TRANS PREB PNP 200MW R1/2 SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA · Ток коллектора

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDTB123TC-7-F

  • ddtb123tc.7.f
  • Diodes Inc
  • TRANS PNP 200MW R1/2 SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA · Ток коллектора (ма

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDTB123EU-7-F

  • ddtb123eu.7.f
  • Diodes Inc
  • TRANS PREB PNP 200MW R1/2 SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDTB123EC-7-F

  • ddtb123ec.7.f
  • Diodes Inc
  • TRANS PNP 200MW R1/2 SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDTB122LC-7-F

  • ddtb122lc.7.f
  • Diodes Inc
  • TRANS PREBIASED PNP SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA · Ток коллектора (макс

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDTB122TC-7

  • ddtb122tc.7
  • Diodes Inc
  • TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA · Ток коллектора (

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDTB122TC-7-F

  • ddtb122tc.7.f
  • Diodes Inc
  • TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA · Ток коллектора (

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDTB122TU-7-F

  • ddtb122tu.7.f
  • Diodes Inc
  • TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA · Ток коллектора (м

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDTB122TU-7

  • ddtb122tu.7
  • Diodes Inc
  • TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA · Ток коллектора (м

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDTB122LU-7

  • ddtb122lu.7
  • Diodes Inc
  • TRANS PREBIASED PNP SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DDTB122LU-7-F

  • ddtb122lu.7.f
  • Diodes Inc
  • TRANS PREBIASED PNP SC70-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные с предварительным смещением представляют собой полупроводниковые устройства, в которых встроены резисторы для создания постоянного напряжения смещения. Это упрощает их использование в схемах и снижает количество внешних компонентов. Эти транзисторы обеспечивают стабильное усиление и переключение сигналов, а также высокую надежность и эффективность работы.

Применение

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в аудиоусилителях, радиопередатчиках и других устройствах, требующих точного и стабильного усиления сигналов.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Стабилизаторы напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения постоянного уровня напряжения в различных устройствах.
  • Преобразователи сигналов: используются в схемах преобразования аналоговых сигналов в цифровые и наоборот.
  • Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
  • Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
  • Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.

Совместимость

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем усиления и управления. Благодаря своей универсальности, эти транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением играют важную роль в инженерных проектах, предоставляя стабильное и эффективное управление электрическими сигналами. Эти компоненты отличаются высокой надежностью и точностью, что делает их незаменимыми для множества приложений в электронике. Благодаря своим уникальным характеристикам, они помогают оптимизировать работу различных устройств, обеспечивая надежную работу и высокую производительность.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь