Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Всего товаров: 2917

UNR9116G0L

  • unr9116g0l
  • Panasonic - SSG
  • TRANS PNP W/RES 160HFE SSMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UNR9115G0L

  • unr9115g0l
  • Panasonic - SSG
  • TRANS PNP W/RES 160HFE SSMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (м

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UNR9110G0L

  • unr9110g0l
  • Panasonic - SSG
  • TRANS PNP W/RES 160HFE SSMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (м

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UNR52A6G0L

  • unr52a6g0l
  • Panasonic - SSG
  • TRANS NPN W/RES 160HFE S-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектор

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UNR52A5G0L

  • unr52a5g0l
  • Panasonic - SSG
  • TRANS NPN W/RES 160HFE S-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UNR52A0G0L

  • unr52a0g0l
  • Panasonic - SSG
  • TRANS NPN W/RES 160HFE S-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UNR521WG0L

  • unr521wg0l
  • Panasonic - SSG
  • TRANS NPN W/RES 80HFE SMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (мак

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UNR5217G0L

  • unr5217g0l
  • Panasonic - SSG
  • TRANS NPN W/RES 160HFE SMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (ма

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UNR5215G0L

  • unr5215g0l
  • Panasonic - SSG
  • TRANS NPN W/RES 160HFE S-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UNR5210G0L

  • unr5210g0l
  • Panasonic - SSG
  • TRANS NPN W/RES 160HFE S-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UNR51A6G0L

  • unr51a6g0l
  • Panasonic - SSG
  • TRANS PNP W/RES 160HFE S-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектор

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UNR51A5G0L

  • unr51a5g0l
  • Panasonic - SSG
  • TRANS PNP W/RES 160HFE S-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UNR51A0G0L

  • unr51a0g0l
  • Panasonic - SSG
  • TRANS PNP W/RES 160HFE S-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UNR5117G0L

  • unr5117g0l
  • Panasonic - SSG
  • TRANS PNP W/RES 160HFE SMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (ма

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UNR5116G0L

  • unr5116g0l
  • Panasonic - SSG
  • TRANS PNP W/RES 160HFE SMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (м

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UNR5115G0L

  • unr5115g0l
  • Panasonic - SSG
  • TRANS PNP W/RES 160HFE SMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (ма

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UNR32AAG0L

  • unr32aag0l
  • Panasonic - SSG
  • TRANS NPN W/RES 80HFE SSSMINI Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 100K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 100K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UNR32A6G0L

  • unr32a6g0l
  • Panasonic - SSG
  • TRANS NPN W/RES 160HFE SSSMINI3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектор

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UNR32A5G0L

  • unr32a5g0l
  • Panasonic - SSG
  • TRANS NPN W/RES 160HFE SSSMINI3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

UNR32A0G0L

  • unr32a0g0l
  • Panasonic - SSG
  • TRANS NPN W/RES 160HFE SSSMINI3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные с предварительным смещением представляют собой полупроводниковые устройства, в которых встроены резисторы для создания постоянного напряжения смещения. Это упрощает их использование в схемах и снижает количество внешних компонентов. Эти транзисторы обеспечивают стабильное усиление и переключение сигналов, а также высокую надежность и эффективность работы.

Применение

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в аудиоусилителях, радиопередатчиках и других устройствах, требующих точного и стабильного усиления сигналов.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Стабилизаторы напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения постоянного уровня напряжения в различных устройствах.
  • Преобразователи сигналов: используются в схемах преобразования аналоговых сигналов в цифровые и наоборот.
  • Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
  • Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
  • Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.

Совместимость

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем усиления и управления. Благодаря своей универсальности, эти транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением играют важную роль в инженерных проектах, предоставляя стабильное и эффективное управление электрическими сигналами. Эти компоненты отличаются высокой надежностью и точностью, что делает их незаменимыми для множества приложений в электронике. Благодаря своим уникальным характеристикам, они помогают оптимизировать работу различных устройств, обеспечивая надежную работу и высокую производительность.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь