Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Всего товаров: 2917

RN1132MFV(TPL3)

  • rn1132mfv.tpl3
  • Toshiba
  • Transistors Switching (Resistor Biased) 50volts 100mA 3Pin 200Kohms x 0ohms

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN1117MFV(TPL3)

  • rn1117mfv.tpl3
  • Toshiba
  • Transistors Switching (Resistor Biased) 50volts 100mA 3Pin 10Kohms x 4.7Kohms

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN1116MFV(TPL3)

  • rn1116mfv.tpl3
  • Toshiba
  • Transistors Switching (Resistor Biased) 50volts 100mA 3Pin 4.7Kohms x 10Kohms

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN1115MFV(TPL3)

  • rn1115mfv.tpl3
  • Toshiba
  • Transistors Switching (Resistor Biased) 2.2Kohms x 10Kohms

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN1114MFV(TPL3)

  • rn1114mfv.tpl3
  • Toshiba
  • Transistors Switching (Resistor Biased) 50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN1113(T5L,F,T)

  • rn1113.t5l.f.t
  • TOSHIBA
  • NPN KLEINSIGNALTRANS. + WIDERST

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN1113MFV(TPL3)

  • rn1113mfv.tpl3
  • Toshiba
  • Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50volts 3Pin 47Kohms

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN1112MFV(TPL3)

  • rn1112mfv.tpl3
  • Toshiba
  • Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50volts 3Pin 22Kohms

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN1111MFV(TPL3)

  • rn1111mfv.tpl3
  • Toshiba
  • Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50volts 3Pin 10Kohms

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN1109MFV(TPL3)

  • rn1109mfv.tpl3
  • Toshiba
  • Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50volts 3Pin 47K x 22Kohms

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN1108(T5L,F,T)

  • rn1108.t5l.f.t
  • TOSHIBA
  • NPN KLEINSIGNALTRANS. + WIDERST

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN1108MFV(TPL3)

  • rn1108mfv.tpl3
  • Toshiba
  • Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50volts 3Pin 22K x 47Kohms

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN1103MFV(TPL3)

  • rn1103mfv.tpl3
  • Toshiba
  • Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50volts 3Pin 22K x 22Kohms

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

RN1101MFV(TPL3)

  • rn1101mfv.tpl3
  • Toshiba
  • Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTD123YS,126

  • pdtd123ys.126
  • NXP Semiconductors
  • TRANS NPN 50V 500MA SOT54 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTD123TT,215

  • pdtd123tt.215
  • NXP Semiconductors
  • TRANS NPN 50V 500MA SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA · Ток коллектора (макс

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTD123YT,215

  • pdtd123yt.215
  • NXP Semiconductors
  • TRANS NPN W/RES 50V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 30

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTD123YK,115

  • pdtd123yk.115
  • NXP Semiconductors
  • TRANS NPN W/RES 50V SC-59 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTD123TS,126

  • pdtd123ts.126
  • NXP Semiconductors
  • TRANS NPN 50V 500MA SOT54 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA · Ток коллектора (макс

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTD123ES,126

  • pdtd123es.126
  • NXP Semiconductors
  • TRANS NPN 50V 500MA SOT54 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 30

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные с предварительным смещением представляют собой полупроводниковые устройства, в которых встроены резисторы для создания постоянного напряжения смещения. Это упрощает их использование в схемах и снижает количество внешних компонентов. Эти транзисторы обеспечивают стабильное усиление и переключение сигналов, а также высокую надежность и эффективность работы.

Применение

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в аудиоусилителях, радиопередатчиках и других устройствах, требующих точного и стабильного усиления сигналов.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Стабилизаторы напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения постоянного уровня напряжения в различных устройствах.
  • Преобразователи сигналов: используются в схемах преобразования аналоговых сигналов в цифровые и наоборот.
  • Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
  • Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
  • Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.

Совместимость

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем усиления и управления. Благодаря своей универсальности, эти транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением играют важную роль в инженерных проектах, предоставляя стабильное и эффективное управление электрическими сигналами. Эти компоненты отличаются высокой надежностью и точностью, что делает их незаменимыми для множества приложений в электронике. Благодаря своим уникальным характеристикам, они помогают оптимизировать работу различных устройств, обеспечивая надежную работу и высокую производительность.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь