Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Всего товаров: 2917

PDTA124TK,115

  • pdta124tk.115
  • NXP Semiconductors
  • TRANS PNP W/RES 50V SOT-346 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTA124TT,215

  • pdta124tt.215
  • NXP Semiconductors
  • TRANS PNP W/RES 50V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150m

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTA124TS,126

  • pdta124ts.126
  • NXP Semiconductors
  • TRANS PNP W/RES 50V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс):

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTA124TE,115

  • pdta124te.115
  • NXP Semiconductors
  • TRANS PNP W/RES 50V SOT-416 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTA124ES,126

  • pdta124es.126
  • NXP Semiconductors
  • TRANS NPN 50V 100MA SOT54 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTA124EU,135

  • pdta124eu.135
  • NXP Semiconductors
  • TRANS NPN 50V 100MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150m

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTA124ET,235

  • pdta124et.235
  • NXP Semiconductors
  • Transistors Switching (Resistor Biased) PNP RESISTOR-EQUIPD TRANSISTORS

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTA124EU,115

  • pdta124eu.115
  • NXP Semiconductors
  • TRANS NPN 50V 100MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150m

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTA124ET,215

  • pdta124et.215
  • NXP Semiconductors
  • TRANS NPN 50V 100MA SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTA124EM,315

  • pdta124em.315
  • NXP Semiconductors
  • TRANS PNP W/RES 50V SOT-883 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTA124EK,115

  • pdta124ek.115
  • NXP Semiconductors
  • TRANS NPN 50V 100MA SOT416 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150m

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTA124EE,115

  • pdta124ee.115
  • NXP Semiconductors
  • TRANS NPN 50V 100MA SOT416 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150m

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTA123YU,115

  • pdta123yu.115
  • NXP Semiconductors
  • TRANS PNP W/RES 50V SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTA123YT,215

  • pdta123yt.215
  • NXP Semiconductors
  • TRANS PNP W/RES 50V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTA123YS,126

  • pdta123ys.126
  • NXP Semiconductors
  • TRANS PNP W/RES 50V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150m

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTA123YM,315

  • pdta123ym.315
  • NXP Semiconductors
  • TRANS PNP W/RES 50V SOT-883 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 15

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTA123YE,115

  • pdta123ye.115
  • NXP Semiconductors
  • TRANS PNP W/RES 50V SC-75 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150m

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTA123TU,115

  • pdta123tu.115
  • NXP Semiconductors
  • TRANS PNP W/RES 50V SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (мак

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTA123YK,115

  • pdta123yk.115
  • NXP Semiconductors
  • TRANS PNP W/RES 50V SC-59A Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

PDTA123TT,235

  • pdta123tt.235
  • NXP Semiconductors
  • TRANS PNP W/RESISTOR SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (мак

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные с предварительным смещением представляют собой полупроводниковые устройства, в которых встроены резисторы для создания постоянного напряжения смещения. Это упрощает их использование в схемах и снижает количество внешних компонентов. Эти транзисторы обеспечивают стабильное усиление и переключение сигналов, а также высокую надежность и эффективность работы.

Применение

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в аудиоусилителях, радиопередатчиках и других устройствах, требующих точного и стабильного усиления сигналов.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Стабилизаторы напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения постоянного уровня напряжения в различных устройствах.
  • Преобразователи сигналов: используются в схемах преобразования аналоговых сигналов в цифровые и наоборот.
  • Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
  • Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
  • Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.

Совместимость

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем усиления и управления. Благодаря своей универсальности, эти транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением играют важную роль в инженерных проектах, предоставляя стабильное и эффективное управление электрическими сигналами. Эти компоненты отличаются высокой надежностью и точностью, что делает их незаменимыми для множества приложений в электронике. Благодаря своим уникальным характеристикам, они помогают оптимизировать работу различных устройств, обеспечивая надежную работу и высокую производительность.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь