Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Всего товаров: 2917

FJN3302RTA

  • fjn3302rta
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FJN3304RTA

  • fjn3304rta
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FJN3303RTA

  • fjn3303rta
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FJN3304RBU

  • fjn3304rbu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FJN3303RBU

  • fjn3303rbu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

FJN3302RBU

  • fjn3302rbu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NSVMMUN2113LT3G

  • nsvmmun2113lt3g
  •  ONSEMI [ON Semiconductor]
  • Digital Transistors (BRT) k, k

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NSVDTC144WET1G

  • nsvdtc144wet1g
  •  ONSEMI [ON Semiconductor]
  • Digital Transistors (BRT) k

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NSVDTC144TM3T5G

  • nsvdtc144tm3t5g
  •  ONSEMI [ON Semiconductor]
  • Digital Transistors (BRT) 47

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NSVDTC143ZM3T5G

  • nsvdtc143zm3t5g
  •  ONSEMI [ON Semiconductor]
  • Digital Transistors (BRT) 4.7 k

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NSVDTC114YM3T5G

  • nsvdtc114ym3t5g
  •  ONSEMI [ON Semiconductor]
  • Digital Transistors (BRT) k

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

NSVDTA114EM3T5G

  • nsvdta114em3t5g
  •  ONSEMI [ON Semiconductor]
  • Digital Transistors (BRT) k, PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Networ

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

EML20T2R

  • eml20t2r
  • ROHM Semiconductor
  • Transistors Switching (Resistor Biased) Complex Bipolar (Dtr+Mos)- -50V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

EML17T2R

  • eml17t2r
  • ROHM Semiconductor
  • Transistors Switching (Resistor Biased) Complex Bipolar (Dtr+Mos)- -50V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DTDG23YPT100

  • dtdg23ypt100
  • Rohm Semiconductor
  • TRANS NPN 60V 1A SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DTDG14GPT100

  • dtdg14gpt100
  • Rohm Semiconductor
  • TRANS DIGITAL NPN 60V 1A SOT-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA · Ток коллектора

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DTD143EKT146

  • dtd143ekt146
  • Rohm Semiconductor
  • TRAN DIGIT NPN 50V 500MA SOT-346 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DTD143TKT146

  • dtd143tkt146
  • Rohm Semiconductor
  • TRANS NPN 50V 500MA SOT-346 TR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA · Ток коллектора

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DTD133HKT146

  • dtd133hkt146
  • Rohm Semiconductor
  • TRANS NPN 50V 500MA SOT-346 TR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 3.3K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 1.1K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, I

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

DTD122JKT146

  • dtd122jkt146
  • Rohm Semiconductor
  • TRANS NPN 50V 500MA SOT-346 TR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные с предварительным смещением представляют собой полупроводниковые устройства, в которых встроены резисторы для создания постоянного напряжения смещения. Это упрощает их использование в схемах и снижает количество внешних компонентов. Эти транзисторы обеспечивают стабильное усиление и переключение сигналов, а также высокую надежность и эффективность работы.

Применение

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением находят широкое применение в различных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются в аудиоусилителях, радиопередатчиках и других устройствах, требующих точного и стабильного усиления сигналов.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Стабилизаторы напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения постоянного уровня напряжения в различных устройствах.
  • Преобразователи сигналов: используются в схемах преобразования аналоговых сигналов в цифровые и наоборот.
  • Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
  • Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
  • Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспечения точности и надежности работы.

Совместимость

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением совместимы с широким спектром электронных компонентов и устройств, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с резисторами, конденсаторами, микроконтроллерами и другими элементами для создания эффективных схем усиления и управления. Благодаря своей универсальности, эти транзисторы находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением играют важную роль в инженерных проектах, предоставляя стабильное и эффективное управление электрическими сигналами. Эти компоненты отличаются высокой надежностью и точностью, что делает их незаменимыми для множества приложений в электронике. Благодаря своим уникальным характеристикам, они помогают оптимизировать работу различных устройств, обеспечивая надежную работу и высокую производительность.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь