Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
TN4033A_D26Z
- tn4033a.d26z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS BIPO GPA PNP 80V TO-226 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TN3019A_J05Z
- tn3019a.j05z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS BIPO GPA NPN 80V TO-226 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcималь
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TN2907A_D26Z
- tn2907a.d26z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS BIPO GPA PNP 60V TO-226 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcима
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TN2219A_J05Z
- tn2219a.j05z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS BIPO GPA NPN 40V TO-226 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TN2219A_D26Z
- tn2219a.d26z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS BIPO GPA NPN 40V TO-226 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TIS97_J35Z
- tis97.j35z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS BIPO GPA NPN 40V 500MA TO- Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Throu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TIS97_D74Z
- tis97.d74z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS BIPO GPA NPN 40V 500MA TO- Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Throu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TIS97_D26Z
- tis97.d26z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS BIPO GPA NPN 40V 500MA TO- Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V · Мощность макcимальная: 625mW · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Throu
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TIS93_J35Z
- tis93.j35z
- Fairchild Semiconductor
- TRANS GP PNP 40V 800MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TIP36CP
- tip36cp
- STMicroelectronics
- TRANS PNP 100V 25A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 5A, 25A · Ток коллектора (макс): 25A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 15A, 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
TIP35CP
- tip35cp
- STMicroelectronics
- TRANS PWR NPN 100V 25A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1.5A, 15A · Ток коллектора (макс): 25A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STX790AG-AP
- stx790ag.ap
- STMicroelectronics
- TRANS PNP 30V 3A TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 2V · Мощность макcимальная: 900мВт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STX616
- stx616
- STMicroelectronics
- TRANS NPN 500V 1.5A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 500В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 17 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STX13005G-AP
- stx13005g.ap
- STMicroelectronics
- TRANS NPN 400V 3A TO-92AP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 750mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STX13004G-AP
- stx13004g.ap
- STMicroelectronics
- TRANS NPN 400V 2A TO-92AP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 500µ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STX13004-AP
- stx13004.ap
- STMicroelectronics
- TRANS NPN 400V 2A TO-92AP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 500µ
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STX13004
- stx13004
- STMicroelectronics
- TRANS NPN 400V 2A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 500µA,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STX13003G
- stx13003g
- STMicroelectronics
- TRANS PWR NPN FAST HV TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V · Мощность макcимальная: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STX13003-AP
- stx13003.ap
- STMicroelectronics
- TRANS NPN 400V 1A TO-92AP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 5mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STWH13009
- stwh13009
- STMicroelectronics
- TRANS PWR NPN FAST HV TO-247 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 1A, 5A · Ток коллектора (макс): 24A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 11 @ 8A, 5V · Мощность макcимальная: 125В
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК