Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Биполярные транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 11220

BC63916_J35Z

  • bc63916.j35z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANS NPN EPTXL 80V 1A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V · Мощность макcимальна

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC516_J35Z

  • bc516.j35z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANS PNP DARL 30V 1A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V · Мощность макcимальная:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC369_J35Z

  • bc369.j35z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANS NPN GP 20V 1.5A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 10V · Мощность макcимальная

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC368_J35Z

  • bc368.j35z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANS NPN GP 20V 2A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V · Мощность макcимальная: 625

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC338_J35Z

  • bc338.j35z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANS NPN EPTXL 25V 800MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC337_J35Z

  • bc337.j35z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANS NPN EPTXL 45V 800MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC337-AP

  • bc337.ap
  • Micro Commercial Co
  • TRANSISTOR NPN 800MA 45V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC337-40-AP

  • bc337.40.ap
  • Micro Commercial Co
  • TRANSISTOR NPN 800MA 45V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC33725_J35Z

  • bc33725.j35z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANS NPN EPTXL 45V 800MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC337-25-AP

  • bc337.25.ap
  • Micro Commercial Co
  • TRANSISTOR NPN 800MA 45V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC33716_J35Z

  • bc33716.j35z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANS NPN EPTXL 45V 800MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC337-16-AP

  • bc337.16.ap
  • Micro Commercial Co
  • TRANSISTOR NPN 800MA 45V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC328_J35Z

  • bc328.j35z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANS PNP EPTXL 25V 800MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC32825_J35Z

  • bc32825.j35z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANS PNP EPTXL 25V 800MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC327_J35Z

  • bc327.j35z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANS PNP EPTXL 45V 800MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC327-AP

  • bc327.ap
  • Micro Commercial Co
  • TRANSISTOR PNP 800MA 45V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC327A_J35Z

  • bc327a.j35z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANS PNP EPTXL 45V 800MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC327-40-AP

  • bc327.40.ap
  • Micro Commercial Co
  • TRANSISTOR PNP 800MA 45V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC32725_J35Z

  • bc32725.j35z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANS PNP EPTXL 45V 800MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

BC327-25-AP

  • bc327.25.ap
  • Micro Commercial Co
  • TRANSISTOR PNP 800MA 45V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.

Применение

Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
  • Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
  • Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
  • Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
  • Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.

Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.

Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь