Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
2SC5585TL
- 2sc5585tl
- Rohm Semiconductor
- TRANS NPN 12V 0.5A SOT-416 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC4083T106P
- 2sc4083t106p
- Rohm Semiconductor
- TRANS NPN 11V 50MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 11В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 10V · Мощность макcимальная: 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC3938GRL
- 2sc3938grl
- Panasonic - SSG
- TRANS NPN 40VCES 100MA SMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC3938GQL
- 2sc3938gql
- Panasonic - SSG
- TRANS NPN 40VCES 100MA SMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC3503FSTU
- 2sc3503fstu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 300V 100MA TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 10V · Мощность макcи
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC3503ESTU
- 2sc3503estu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 300V 100MA TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V · Мощность макcи
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC3503DSTU
- 2sc3503dstu
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 300V 100MA TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V · Мощность макcим
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC2705-Y(TE6,F,M)
- 2sc2705.y.te6.f.m
- Toshiba
- TRANSISTOR NPN 150V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SC2412KT146S
- 2sc2412kt146s
- Rohm Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SOT-346 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1679G0L
- 2sb1679g0l
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP 10VCEO 500MA SMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 8mA, 400mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1463GRL
- 2sb1463grl
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP 150VCEO 50MA SSMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1440GRL
- 2sb1440grl
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP LF 50VCEO 2A MINI-PWR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 2V · Мощность макcимальна
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1220GRL
- 2sb1220grl
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP 150VCEO 50MA SMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1219GSL
- 2sb1219gsl
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP 50VCEO 500MA SMINI-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V · Мощность макcи
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1197KT146Q
- 2sb1197kt146q
- Rohm Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 32V 0.8A SOT-346 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V · Мощность макcи
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB1132T100Q
- 2sb1132t100q
- Rohm Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 32V 1A SO-89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB0956GRL
- 2sb0956grl
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP 20VCEO 1A MINIP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB0789GRL
- 2sb0789grl
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP 100VCEO 500MA MINIP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 150mA, 10V · Мощность мак
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SB0766GRL
- 2sb0766grl
- Panasonic - SSG
- TRANS PNP LF 50VCEO 1A MINI-PWR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V · Мощность макcима
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
2SA965-Y(TE6,F,M)
- 2sa965.y.te6.f.m
- Toshiba
- TRANSISTOR PNP 120V 0.8A TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 800mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК