Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
SBC817-25LT3G
- sbc817.25lt3g
- ON Semiconductor
- Transistors Switching (Resistor Biased) SS GP XSTR SPCL TR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SBC817-40LT1G
- sbc817.40lt1g
- ON Semiconductor
- Transistors Switching (Resistor Biased) SS GP XSTR SPCL TR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SBC817-40LT3G
- sbc817.40lt3g
- ON Semiconductor
- Transistors Switching (Resistor Biased) SS GP XSTR SPCL TR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SBC817-16LT3G
- sbc817.16lt3g
- ON Semiconductor
- Transistors Switching (Resistor Biased) SS GP XSTR SPCL TR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SBC807-40LT1G
- sbc807.40lt1g
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SBC817-25LT1G
- sbc817.25lt1g
- ON Semiconductor
- Transistors Switching (Resistor Biased) SS GP XSTR SPCL TR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SBC807-25LT1G
- sbc807.25lt1g
- GLENAIR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
S2000AF
- s2000af
- STMicroelectronics
- TRANS NPN 700V CRT ISOWATT218FX Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 700В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 1A, 4.5A · Ток коллектора (макс): 8A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 2mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STX616-AP
- stx616.ap
- STMicroelectronics
- TRANS POWER NPN 500V TO-92AP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 500В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
STD2805T4
- std2805t4
- STMicroelectronics
- TRANSISTOR PNP LV FAST SW DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 2A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSTA28T116
- ssta28t116
- Rohm Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 80V 0.3A SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 300mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, V
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSTA06T116
- ssta06t116
- Rohm Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 80V 0.5A SST3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcималь
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SSTA56T116
- ssta56t116
- Rohm Semiconductor
- TRANS DDVR PNP 80V 500MA SST3 TR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SST6838T216
- sst6838t216
- Rohm Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 40V 200MA SST3 TR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V · Мощность макcим
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SST4403T116
- sst4403t116
- Rohm Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 40V 0.6A SST3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SST2907AT116
- sst2907at116
- Rohm Semiconductor
- TRANSISTOR PNP 60V 0.6A SSD3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
SST2222AT116
- sst2222at116
- Rohm Semiconductor
- TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
QSX6TR
- qsx6tr
- Rohm Semiconductor
- TRANS NPN BIPOLAR 30V 1.5A TSMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1.5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
QSX5TR
- qsx5tr
- Rohm Semiconductor
- TRANS NPN BIPOLAR 12V 2A TSMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
QST6TR
- qst6tr
- Rohm Semiconductor
- TRANS PNP BIPOLAR 12V 2A TSMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК