Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
PZT2222AT1G
- pzt2222at1g
- ON Semiconductor
- TRANS SS SW NPN 600MA 40V SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность мак
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PZT2222A,115
- pzt2222a.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 60V 600MA SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 0.1mA, 10V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PZT2222A,135
- pzt2222a.135
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 60V 600MA SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 100µA, 10V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PZT2222AT3G
- pzt2222at3g
- ON Semiconductor
- TRANS SS NPN 600MA 40V SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcим
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PZT2222AT1
- pzt2222at1
- ON Semiconductor
- TRANS SS SW NPN 600MA 40V SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность мак
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PZT2222A
- pzt2222a
- Fairchild Semiconductor
- TRANS AMP NPN GP 40V .5A SOT-223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 300MHz · Тип транзистора: N
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PXTA92,115
- pxta92.115
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 300V 100MA SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная:
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PXTA42,115
- pxta42.115
- NXP Semiconductors
- TRANSISTOR NPN 300V 100MA SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимал
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PXT4403,115
- pxt4403.115
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 40V 600MA SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100µA, 1V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PXTA14,115
- pxta14.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 30V 500MA SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PXT4401,115
- pxt4401.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 40V 600MA SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100µA, 1V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PXT2907A,115
- pxt2907a.115
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 60V 600MA SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 100µA, 1V · Мощность макcимальная
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PXT2222A,115
- pxt2222a.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN SW 40V 100MA SOT89-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 100µA, 10V · Мощность макcим
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PVR100AZ-B5V0,115
- pvr100az.b5v0.115
- NXP Semiconductors
- IC REG VOLT 5V SOT-223 Напряжение выходное: 5V · Допустимые отклонения емкости: ±7% · Напряжение-входящее: 7 ~ 40 V · Количество каналов: 1 · Ток выходной: 100mA · Рабочая температура: -65°C ~ 150°C · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PVR100AZ-B3V0,115
- pvr100az.b3v0.115
- NXP Semiconductors
- IC REG VOLT 3V SOT-223 Напряжение выходное: 3V · Допустимые отклонения емкости: ±10% · Напряжение-входящее: 5 ~ 40 V · Количество каналов: 1 · Ток выходной: 100mA · Рабочая температура: -65°C ~ 150°C · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PVR100AZ-B3V3,115
- pvr100az.b3v3.115
- NXP Semiconductors
- IC REG VOLT 3.3V SOT-223 Напряжение выходное: 3.3V · Допустимые отклонения емкости: ±7% · Напряжение-входящее: 5.3 ~ 40 V · Количество каналов: 1 · Ток выходной: 100mA · Рабочая температура: -65°C ~ 150°C · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PVR100AZ-B2V5,115
- pvr100az.b2v5.115
- NXP Semiconductors
- IC REG VOLT 2.5V SOT-223 Напряжение выходное: 2.5V · Допустимые отклонения емкости: ±10% · Напряжение-входящее: 4.5 ~ 40 V · Количество каналов: 1 · Ток выходной: 100mA · Рабочая температура: -65°C ~ 150°C · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261A
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PVR100AD-B5V0,115
- pvr100ad.b5v0.115
- NXP Semiconductors
- IC REG VOLT 5V SC-74 Напряжение выходное: 5V · Допустимые отклонения емкости: ±7% · Напряжение-входящее: 7 ~ 40 V · Количество каналов: 1 · Ток выходной: 100mA · Рабочая температура: -65°C ~ 150°C · Корпус: SC-74-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PVR100AZ-B12V,115
- pvr100az.b12v.115
- NXP Semiconductors
- IC REG VOLT 12V SOT-223 Напряжение выходное: 12.3V · Допустимые отклонения емкости: ±7% · Напряжение-входящее: 14 ~ 40 V · Количество каналов: 1 · Ток выходной: 100mA · Рабочая температура: -65°C ~ 150°C · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PVR100AD-B3V3,115
- pvr100ad.b3v3.115
- NXP Semiconductors
- IC REG VOLT 3.3V SC-74 Напряжение выходное: 3.3V · Допустимые отклонения емкости: ±7% · Напряжение-входящее: 5.3 ~ 40 V · Количество каналов: 1 · Ток выходной: 100mA · Рабочая температура: -65°C ~ 150°C · Корпус: SC-74-6
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК