Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
PBSS9110D,115
- pbss9110d.115
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 100V 1A SC-74 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 25mA, 250mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS9110AS,126
- pbss9110as.126
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 100V 1A LOW SAT TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 25mA, 250mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS8110Z,135
- pbss8110z.135
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 100V 1A SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 40mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS8110Y,115
- pbss8110y.115
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 10V 1A SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 40mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная: 480m
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS8110X,135
- pbss8110x.135
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 100V 1A LOW SAT SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 40mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vc
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS8110T,215
- pbss8110t.215
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 100V 1A SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS8110D,115
- pbss8110d.115
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 100V 1A SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 25mA, 250mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS8110S,126
- pbss8110s.126
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 100V 1A LOW SAT TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 40mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS8110AS,126
- pbss8110as.126
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 100V 1A LOW SAT TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 40mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS5612PA,115
- pbss5612pa.115
- PhilipsSemiconducto
- EAR99
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS5540Z,115
- pbss5540z.115
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 40V 5A SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 5mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 2Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS5540X,135
- pbss5540x.135
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 40V 4A SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 5mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 4A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 1.4В
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS5520X,135
- pbss5520x.135
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 20V 5A SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 50mV @ 5mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 1.4Вт
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS5480X,135
- pbss5480x.135
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 80V 4A SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 40mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS5440D,115
- pbss5440d.115
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 40V 4A LOW SAT SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS5420D,115
- pbss5420d.115
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 20V 4A LOW SAT SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 50mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 4A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS5350Z,135
- pbss5350z.135
- NXP Semiconductors
- TRANS NPN 50V 3A SOT223 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная: 1.3
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS5350X,135
- pbss5350x.135
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 50V 3A SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS5350X,115
- pbss5350x.115
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 50V 3A SOT89 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 5
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
PBSS5350S,126
- pbss5350s.126
- NXP Semiconductors
- TRANS PNP 50V 3A LOW SAT TO92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальн
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК