Корзина

0

Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

sales@ruchips.ru

Биполярные транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 11220

Изображения для MJH11020G

MJH11020G

  • mjh11020g
  • ON Semiconductor
  • TRANS DARL NPN 15A 200V TO218 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 10A · Ток коллектора (макс): 15A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJH11019

MJH11019

  • mjh11019
  • ON Semiconductor
  • TRANS DARL PNP 15A 200V TO218 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 200В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 10A · Ток коллектора (макс): 15A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJH11017

MJH11017

  • mjh11017
  • ON Semiconductor
  • TRANS DARL PNP 15A 150V TO218 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 10A · Ток коллектора (макс): 15A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJH11017G

MJH11017G

  • mjh11017g
  • ON Semiconductor
  • TRANS DARL PNP 15A 150V TO218 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 10A · Ток коллектора (макс): 15A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJF6668

MJF6668

  • mjf6668
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR PNP 10A 100V TO220FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 6mA, 3A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJF6668G

MJF6668G

  • mjf6668g
  • ON Semiconductor
  • TRANS POWER PNP 10A 100V TO220FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 6mA, 3A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJF6388

MJF6388

  • mjf6388
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 10A 100V TO220FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 6mA, 3A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJF6388G

MJF6388G

  • mjf6388g
  • ON Semiconductor
  • TRANS POWER NPN 10A 100V TO220FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 6mA, 3A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJF47G

MJF47G

  • mjf47g
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 1A 250V TO220FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJF31C

MJF31C

  • mjf31c
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 3A 100V TO-220FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJF47

MJF47

  • mjf47
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 1A 250V TO220FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 250V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJF45H11G

MJF45H11G

  • mjf45h11g
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR PNP 10A 80V TO-220FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJF44H11

MJF44H11

  • mjf44h11
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 10A 80V TO220FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJF44H11G

MJF44H11G

  • mjf44h11g
  • ON Semiconductor
  • TRANS POWER NPN 10A 80V TO220FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJF45H11

MJF45H11

  • mjf45h11
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR PNP 10A 80V TO-220FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJF32CG

MJF32CG

  • mjf32cg
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR PNP 3A 100V TO-220FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJF32C

MJF32C

  • mjf32c
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR PNP 3A 100V TO-220FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJF31CG

MJF31CG

  • mjf31cg
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 3A 100V TO-220FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A · Ток коллектора (макс): 3A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 300µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJF3055G

MJF3055G

  • mjf3055g
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 10A 60V TO220FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 90V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине
Изображения для MJF3055

MJF3055

  • mjf3055
  • ON Semiconductor
  • TRANS PWR NPN 10A 60V TO220FP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 90V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.

Применение

Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
  • Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
  • Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
  • Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
  • Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.

Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.

Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь