Биполярные транзисторы - Одиночные
Всего товаров: 11220
MJD117RLG
- mjd117rlg
- ON Semiconductor
- TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK-4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJD117T4G
- mjd117t4g
- ON Semiconductor
- TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJD117TF
- mjd117tf
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR PNP DARL 100V 2A DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJD117T4
- mjd117t4
- STMicroelectronics
- TRANS PWR DARL SILICON D-PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8A, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJD117-1G
- mjd117.1g
- ON Semiconductor
- TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJD117G
- mjd117g
- ON Semiconductor, ON
- TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJD117-001
- mjd117.001
- ON Semiconductor
- TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJD117
- mjd117
- ON Semiconductor, ON
- TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJD112TF
- mjd112tf
- Fairchild Semiconductor
- TRANSISTOR NPN DARL 100V 2A DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJD112T4G
- mjd112t4g
- ON Semiconductor
- TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJD112T4
- mjd112t4
- STMicroelectronics
- TRANS DARL NPN 100V 2A DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJD112RLG
- mjd112rlg
- ON Semiconductor
- TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 30
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJD112RL
- mjd112rl
- ON Semiconductor
- TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJD112-1G
- mjd112.1g
- ON Semiconductor
- TRANS DARL NPN 2A 100V STR DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJD112G
- mjd112g
- ON Semiconductor
- TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJB5742T4G
- mjb5742t4g
- ON Semiconductor
- Transistors Darlington BIP D2PAK XSTR TR
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJB45H11T4G
- mjb45h11t4g
- ON Semiconductor
- TRANS PWR PNP 10A 80V D2PAK-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJD112-001
- mjd112.001
- ON Semiconductor
- TRANS DARL NPN 2A 100V STR DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 8mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 20µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJB45H11
- mjb45h11
- ON Semiconductor
- TRANS PWR PNP 10A 80V D2PAK-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1
MJB45H11G
- mjb45h11g
- ON Semiconductor
- TRANS PWR PNP 10A 80V D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2
Добавьте в корзину чтобы запросить цену
Кол-во в заказе кратно 1Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.
Применение
Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.
Основные сферы их применения включают:
- Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
- Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
- Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
- Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
- Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
- Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.
Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.
Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.
Другие категории
- Принадлежности(13)
- Диодные мосты(2537)
- Диодные мосты - Модули(661)
- Динисторы (DIAC, SIDAC)(249)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки(1210)
- Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные(34641)
- Диоды выпрямительные - Сборки(5721)
- Диоды выпрямительные - Модули(3093)
- Диоды выпрямительные - Одиночные(20161)
- Полевые транзисторы - Сборки(2491)
- Полевые транзисторы - Модули(661)
- Полевые транзисторы - Одиночные(22220)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки(14)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули(1360)
- Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные(2658)
- Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET(539)
- Драйверы питания - Модули(537)
- Программируемые однопереходные транзисторы(12)
- Высокочастотные диоды(1162)
- Высокочастотные полевые транзисторы(2232)
- Высокочастотные биполярные транзисторы(1247)
- Триодные тиристоры - Модули(2023)
- Триодные тиристоры - Одиночные(2829)
- Биполярные транзисторы - Сборки(1170)
- Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением(1422)
- Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением(2917)
- Транзисторы - Модули(17)
- Транзисторы - Специального назначения(164)
- Симисторы(2437)
- Симисторы - Модули(22)
- Варикапы и Варакторы(515)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные(362)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные(1864)
- Диоды - ВЧ(463)
- Диоды - выпрямители - одиночные(5971)
- Диоды - выпрямители - массивы(369)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы(66)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы(379)
- Транзисторы - IGBT - одиночные(64)
- Модули драйверов питания(25)
- Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ(98)
- Транзисторы - IGBT - модули(73)
- Диоды - мостовые выпрямители(462)
- Транзисторы - JFET(6)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами(103)
- Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ(6)
- Тиристоры - SCR(8)
- Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором(56)
- Регулирование тока - диоды, транзисторы(1)
- Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)(221)
- Тиристоры - SCR - модули(12)
- Тиристоры - TRIACs(66)
- Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)(2)
Наши контакты
Телефон:
-
+7 (812) 372-68-42
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
-
+7 (495) 685-48-98
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК
Электронная почта:
-
sales@ruchips.ru
ежедневно, 9:00 – 17:00 МСК