Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Биполярные транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 11220

MPSA56_D27Z

  • mpsa56.d27z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANS GP PNP 80V 500MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vc

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MPSA55_D74Z

  • mpsa55.d74z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANS GP PNP 60V 500MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vc

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MPSA42_D27Z

  • mpsa42.d27z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANS NPN 300V 500MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcимальная:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MPSA06T93

  • mpsa06t93
  • Rohm Semiconductor
  • TRANS DRVR NPN 80V .5A TO-92 TR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MPSA05_D74Z

  • mpsa05.d74z
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANS GP NPN 60V 500MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vc

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMSTA56T146

  • mmsta56t146
  • Rohm Semiconductor
  • TRANS PNP 80V 500MA SOT-346 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMSTA92-TP

  • mmsta92.tp
  • Micro Commercial Co
  • TRANS SS PNP 300V 100MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcималь

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMST5401-TP

  • mmst5401.tp
  • Micro Commercial Co
  • TRANSISTOR PNP 150V 200MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMSTA06T146

  • mmsta06t146
  • Rohm Semiconductor
  • TRANS NPN 80V 500MA SOT-346 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMST5551-TP

  • mmst5551.tp
  • Micro Commercial Co
  • TRANSISTOR NPN 160V 200MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMSTA42-TP

  • mmsta42.tp
  • Micro Commercial Co
  • TRANSISTOR NPN 300V 200MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V · Мощность макcима

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMST4403-TP

  • mmst4403.tp
  • Micro Commercial Co
  • TRANSISTOR PNP SW 40V SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vc

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMST4403T146

  • mmst4403t146
  • Rohm Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 40V 0.6V SOT-346 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V · Мощность макcи

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMST4401-TP

  • mmst4401.tp
  • Micro Commercial Co
  • TRANSISTOR NPN SW 40V SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vc

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMST4401T146

  • mmst4401t146
  • Rohm Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT-346 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V · Мощность макcи

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMST3906-TP

  • mmst3906.tp
  • Micro Commercial Co
  • TRANSISTOR PNP GP 40V .2A SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, V

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMST3906T146

  • mmst3906t146
  • Rohm Semiconductor
  • TRANS GP PNP 40V 200MA SOT-346 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMST3904T146

  • mmst3904t146
  • Rohm Semiconductor
  • TRANS GP NPN 40V 200MA SOT-346 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 50nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMST2907AT146

  • mmst2907at146
  • Rohm Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 60V 0.6A SOT-346 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA · Ток коллектора (макс): 600mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

MMST3904-TP

  • mmst3904.tp
  • Micro Commercial Co
  • TRANSISTOR NPN 40V 200MA SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 200mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V · Мощность макcимал

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.

Применение

Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
  • Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
  • Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
  • Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
  • Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.

Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.

Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь