Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Биполярные транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 11220

KSE5020AS

  • kse5020as
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 500V 3A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 500В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 1.5A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 300mA, 5V · Мощность макcимальная:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSE44H11

  • kse44h11
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 80V 10A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSE340STU

  • kse340stu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 300V 500MA TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V · Мощность макcимальная: 20Вт · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Throug

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSE45H8TU

  • kse45h8tu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 60V 8A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSE45H8

  • kse45h8
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 60V 8A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSE45H11

  • kse45h11
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 80V 10A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSE350S

  • kse350s
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 300V 500MA TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V · Мощность макcимальная: 20Вт · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Throug

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSE44H11TU

  • kse44h11tu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANS NPN 80V 10A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A,

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSE350STU

  • kse350stu
  • Fairchild Semiconductor, FS
  • TRANSISTOR PNP 300V 500MA TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V · Мощность макcимальная: 20Вт · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Throug

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSE45H11TU

  • kse45h11tu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 80V 10A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 10µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSE340STSTU

  • kse340ststu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 300V 500MA TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V · Мощность макcимальная: 20Вт · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Throug

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSE182STU

  • kse182stu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 80V 3A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 80V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSE340S

  • kse340s
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 300V 500MA TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V · Мощность макcимальная: 20Вт · Тип транзистора: NPN · Тип монтажа: Throug

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSE200STSTU

  • kse200ststu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 25V 5A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 15Вт ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSE210STU

  • kse210stu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 25V 5A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A · Ток коллектора (макс): 5A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V · Мощность макcимальная: 15Вт ·

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSE3055TTU

  • kse3055ttu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 60V 10A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSE2955TTU

  • kse2955ttu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 60V 10A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSE3055T

  • kse3055t
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 60V 10A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSE2955T

  • kse2955t
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR PNP 60V 10A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 700µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSE181STU

  • kse181stu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 60V 3A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V · Мощность макcимальная

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.

Применение

Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
  • Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
  • Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
  • Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
  • Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.

Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.

Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь