Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Биполярные транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 11220

KSC2785YTA

  • ksc2785yta
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 50V 150MA TO-92S Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcима

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC2785LTA

  • ksc2785lta
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 50V 150MA TO-92S Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 6V · Мощность макcима

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC2785YBU

  • ksc2785ybu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 50V 150MA TO-92S Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcима

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC2785OTA

  • ksc2785ota
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 50V 150MA TO-92S Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V · Мощность макcимал

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC2785OBU

  • ksc2785obu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 50V 150MA TO-92S Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V · Мощность макcимал

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC2785GTA

  • ksc2785gta
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 50V 150MA TO-92S Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V · Мощность макcима

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC2785GBU

  • ksc2785gbu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 50V 150MA TO-92S Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 150mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V · Мощность макcима

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC2784PBU

  • ksc2784pbu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 120V 50MA TO-92S Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V · Мощность макcималь

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC2784FBU

  • ksc2784fbu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 120V 50MA TO-92S Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V · Мощность макcималь

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC2784FTA

  • ksc2784fta
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 120V 50MA TO-92S Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V · Мощность макcималь

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC2752OSTU

  • ksc2752ostu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 400V 500MA TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 60mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V · Мощность макcимал

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC2752OS

  • ksc2752os
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 400V 500MA TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 60mA, 300mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V · Мощность макcимал

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC2751RTU

  • ksc2751rtu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 400V 15A TO-3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 2A, 10A · Ток коллектора (макс): 15A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 2A, 5V · Мощность макcимальная: 120W

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC2715YMTF

  • ksc2715ymtf
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 30V 50MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 12V · Мощность макcимальн

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC2710YTA

  • ksc2710yta
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 20V 500MA TO-92S Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V · Мощность макcи

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC2715OMTF

  • ksc2715omtf
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 30V 50MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 12V · Мощность макcимальна

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC2710GTA

  • ksc2710gta
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 20V 500MA TO-92S Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V · Мощность макcи

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC2710YBU

  • ksc2710ybu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 20V 500MA TO-92S Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V · Мощность макcи

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC2690YSTU

  • ksc2690ystu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 120V 1.2A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 120V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1.2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V · Мощность макcима

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC2690AYSTU

  • ksc2690aystu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 160V 1.2A TO-126 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 160V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A · Ток коллектора (макс): 1.2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V · Мощность макcима

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.

Применение

Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
  • Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
  • Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
  • Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
  • Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.

Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.

Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь