Телефон:

Электронная почта:

Создать заявку
+7 (812) 372-68-42

Телефон:

Электронная почта:

Биполярные транзисторы - Одиночные

Всего товаров: 11220

KSC1675OBU

  • ksc1675obu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 30V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC1675OTA

  • ksc1675ota
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 30V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC1675CYBU

  • ksc1675cybu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 30V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC1675CRBU

  • ksc1675crbu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 30V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC1675COBU

  • ksc1675cobu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 30V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 50mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V · Мощность макcимальная:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC1623YMTF

  • ksc1623ymtf
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 50V 100MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V · Мощность макcима

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC1623OMTF

  • ksc1623omtf
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 50V 100MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V · Мощность макcимал

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC1507YTU

  • ksc1507ytu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 300V 200MA TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 10V · Мощность макcимал

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC1623GMTF

  • ksc1623gmtf
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 50V 100MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V · Мощность макcима

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC1623LMTF

  • ksc1623lmtf
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 50V 100MA SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V · Мощность макcима

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC1507Y

  • ksc1507y
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 300V 200MA TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 10V · Мощность макcимал

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC1507YTSTU

  • ksc1507ytstu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 300V 200MA TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 10V · Мощность макcимал

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC1507R

  • ksc1507r
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 300V 200MA TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V · Мощность макcималь

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC1507OTU

  • ksc1507otu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 300V 200MA TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 10V · Мощность макcималь

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC1507O

  • ksc1507o
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 300V 200MA TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA · Ток коллектора (макс): 200µA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 10V · Мощность макcималь

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC1187YTA

  • ksc1187yta
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 20V 30MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Ток коллектора (макс): 30mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 10V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 700MHz · Тип транзистора: NP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC1187YBU

  • ksc1187ybu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 20V 30MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Ток коллектора (макс): 30mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 10V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 700MHz · Тип транзистора: NP

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC1187OTA

  • ksc1187ota
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 20V 30MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Ток коллектора (макс): 30mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 10V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 700MHz · Тип транзистора: NPN

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC1187OBU

  • ksc1187obu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 20V 30MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Ток коллектора (макс): 30mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 10V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 700MHz · Тип транзистора: NPN

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

KSC1173YTU

  • ksc1173ytu
  • Fairchild Semiconductor
  • TRANSISTOR NPN 30V 3A TO-220 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 3A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V · Мощность макcимальная:

Добавьте в корзину чтобы запросить цену

Кол-во в заказе кратно 1
1
Уже в корзине

Биполярные транзисторы (BJT) — одиночные представляют собой полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Эти транзисторы работают на основе переноса заряда между эмиттером, базой и коллектором, что обеспечивает их высокую эффективность и надежность. Одиночные биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных схемах благодаря своей высокой производительности и универсальности.

Применение

Одиночные биполярные транзисторы находят широкое применение в самых разных областях электроники и электротехники.

Основные сферы их применения включают:

  • Усилители: используются для усиления слабых сигналов в аудио и радио устройствах, обеспечивая высокое качество и точность усиления.
  • Переключатели: применяются в схемах коммутации для быстрого и эффективного переключения электронных сигналов.
  • Преобразователи напряжения: входят в состав стабилизаторов и регуляторов напряжения для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
  • Генераторы сигналов: используются в схемах генерации различных сигналов для тестирования и измерений.
  • Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
  • Автомобильная электроника: используются в системах управления и контроля различных функций в автомобилях.
  • Медицинская техника: применяются в медицинских приборах и оборудовании для обеспеченияточности и надежности работы.

Одиночные биполярные транзисторы играют ключевую роль в работе инженеров и разработчиков, позволяя надежно и эффективно управлять электрическими сигналами в разнообразных устройствах. Благодаря своим превосходным характеристикам и широкому спектру применения, эти транзисторы востребованы в различных отраслях электроники и электротехники.

Транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и точное управление током, что делает их идеальными для использования в усилительных и коммутирующих схемах. Их надежность и долговечность гарантируют стабильную работу устройств, даже при интенсивной эксплуатации. Компактные размеры и высокая производительность позволяют легко интегрировать эти компоненты в сложные системы, что способствует созданию эффективных и высокотехнологичных решений в области современной электроники.

Другие категории

Наши контакты

Телефон:

Электронная почта:

Обратная связь